MURTA200120
제조 업체: | GeneSiC Semiconductor |
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제품 카테고리: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
데이터 시트: | MURTA200120 |
설명: | DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER |
RoHS 상태: | RoHS 준수 |
특성 | 특성 값 |
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제조업체 | GeneSiC Semiconductor |
제품 카테고리 | Diodes - Rectifiers - Arrays |
속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
시리즈 | - |
포장 | Bulk |
다이오드 타입 | Standard |
부품 상태 | Active |
마운팅 타입 | Chassis Mount |
패키지 / 케이스 | Three Tower |
다이오드 구성 | 1 Pair Common Cathode |
공급업체 장치 패키지 | Three Tower |
현재 - 역 누설 @ Vr | 25µA @ 1200V |
전압 - DC 역방향(Vr) (최대) | 1200V |
작동 온도 - 정션 | -55°C ~ 150°C |
전압 - 앞으로 (Vf) (최대) @ 경우 | 2.6V @ 100A |
현재 - 평균 정류(Io) (다이오드당) | 100A |
재고 53 pcs
굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$104.63 | $102.54 | $100.49 |
최소: 1