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MURTA200120

제조 업체: GeneSiC Semiconductor
제품 카테고리: Diodes - Rectifiers - Arrays
데이터 시트: MURTA200120
설명: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 GeneSiC Semiconductor
제품 카테고리 Diodes - Rectifiers - Arrays
속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
시리즈 -
포장 Bulk
다이오드 타입 Standard
부품 상태 Active
마운팅 타입 Chassis Mount
패키지 / 케이스 Three Tower
다이오드 구성 1 Pair Common Cathode
공급업체 장치 패키지 Three Tower
현재 - 역 누설 @ Vr 25µA @ 1200V
전압 - DC 역방향(Vr) (최대) 1200V
작동 온도 - 정션 -55°C ~ 150°C
전압 - 앞으로 (Vf) (최대) @ 경우 2.6V @ 100A
현재 - 평균 정류(Io) (다이오드당) 100A

재고 53 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$104.63 $102.54 $100.49
최소: 1

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