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MBR600200CTR
| 제조 업체: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| 제품 카테고리: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| 데이터 시트: | MBR600200CTR |
| 설명: | DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor |
| 제품 카테고리 | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 시리즈 | - |
| 포장 | Bulk |
| 다이오드 타입 | Schottky |
| 부품 상태 | Active |
| 마운팅 타입 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | Twin Tower |
| 다이오드 구성 | 1 Pair Common Anode |
| 공급업체 장치 패키지 | Twin Tower |
| 현재 - 역 누설 @ Vr | 3mA @ 200V |
| 전압 - DC 역방향(Vr) (최대) | 200V |
| 작동 온도 - 정션 | -55°C ~ 150°C |
| 전압 - 앞으로 (Vf) (최대) @ 경우 | 920mV @ 300A |
| 현재 - 평균 정류(Io) (다이오드당) | 300A |
재고 85 pcs
| 굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $127.94 | $125.38 | $122.87 |
최소: 1
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