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GA10JT12-263
| 제조 업체: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| 제품 카테고리: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 데이터 시트: | GA10JT12-263 |
| 설명: | TRANS SJT 1200V 25A |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor |
| 제품 카테고리 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | - |
| 포장 | Tube |
| Vgs (최대) | - |
| 기술 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| FET 기능 | - |
| 부품 상태 | Active |
| 마운팅 타입 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | - |
| Vgs(th) (최대) @ Id | - |
| 작동 온도 | 175°C (TJ) |
| RDS 온 (최대) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 10A |
| 전원 소멸 (최대) | 170W (Tc) |
| 공급업체 장치 패키지 | - |
| 소스 전압(Vds)으로 의회비 | 1200V |
| 입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds | 1403pF @ 800V |
| 전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C | 25A (Tc) |
| 구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기) | - |
재고 721 pcs
| 굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $19.24 | $18.86 | $18.48 |
최소: 1
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