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DB103G
| 제조 업체: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| 제품 카테고리: | Diodes - Bridge Rectifiers |
| 데이터 시트: | DB103G |
| 설명: | BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor |
| 제품 카테고리 | Diodes - Bridge Rectifiers |
| 시리즈 | - |
| 포장 | Bulk |
| 다이오드 타입 | Single Phase |
| 기술 | Standard |
| 부품 상태 | Active |
| 마운팅 타입 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 공급업체 장치 패키지 | DB |
| 전압 - 피크 역방향(최대) | 200V |
| 현재 - 역 누설 @ Vr | 10µA @ 200V |
| 현재 - 평균 정류(Io) | 1A |
| 전압 - 앞으로 (Vf) (최대) @ 경우 | 1.1V @ 1A |
