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1N8035-GA
| 제조 업체: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| 제품 카테고리: | Diodes - Rectifiers - Single |
| 데이터 시트: | 1N8035-GA |
| 설명: | DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor |
| 제품 카테고리 | Diodes - Rectifiers - Single |
| 속도 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 시리즈 | - |
| 포장 | Tube |
| 다이오드 타입 | Silicon Carbide Schottky |
| 부품 상태 | Obsolete |
| 마운팅 타입 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-276AA |
| 기본 부품 번호 | 1N8035 |
| 커패시턴스 @ VR, F | 1107pF @ 1V, 1MHz |
| 공급업체 장치 패키지 | TO-276 |
| 역복구 시간(trr) | 0ns |
| 현재 - 역 누설 @ Vr | 5µA @ 650V |
| 전압 - DC 역방향(Vr) (최대) | 650V |
| 현재 - 평균 정류(Io) | 14.6A (DC) |
| 작동 온도 - 정션 | -55°C ~ 250°C |
| 전압 - 앞으로 (Vf) (최대) @ 경우 | 1.5V @ 15A |
