GS8640E18GT-200IV
제조 업체: | GSI Technology |
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제품 카테고리: | Accessories |
데이터 시트: | GS8640E18GT-200IV |
설명: | SRAM 1.8/2.5V 4M x 18 36M |
RoHS 상태: | RoHS 준수 |
특성 | 특성 값 |
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Rohs | Details |
형식 | DCD Synchronous Burst |
브랜드 | GSI Technology |
시리즈 | GS8640E18GT |
포장 | Tray |
상명 | SyncBurst |
액세스 시간 | 7.5 ns |
메모리 크기 | 72 Mbit |
메모리 유형 | SDR |
하위 범주 | Memory & Data Storage |
제조업체 | GSI Technology |
조직 | 4 M x 18 |
제품 유형 | SRAM |
인터페이스 유형 | Parallel |
마운팅 스타일 | SMD/SMT |
패키지 / 케이스 | TQFP-100 |
제품 카테고리 | SRAM |
수분 민감성 | Yes |
공급 전류 - 최대 | 225 mA, 290 mA |
공급 전압 - 최대 | 2.7 V |
공급 전압 - 최소 | 1.7 V |
팩 수량 | 18 |
최대 클럭 주파수 | 200 MHz |
최대 작동 온도 | + 85 C |
최소 작동 온도 | - 40 C |
재고 62 pcs
굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$109.00 | $106.82 | $104.68 |
최소: 1