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GS8160E36DGT-200IV
| 제조 업체: | GSI Technology |
|---|---|
| 제품 카테고리: | Accessories |
| 데이터 시트: | GS8160E36DGT-200IV |
| 설명: | SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| Rohs | Details |
| 형식 | DCD Synchronous Burst |
| 브랜드 | GSI Technology |
| 시리즈 | GS8160E36DGT |
| 포장 | Tray |
| 상명 | SyncBurst |
| 액세스 시간 | 6.5 ns |
| 메모리 크기 | 18 Mbit |
| 메모리 유형 | SDR |
| 하위 범주 | Memory & Data Storage |
| 제조업체 | GSI Technology |
| 조직 | 512 k x 36 |
| 제품 유형 | SRAM |
| 인터페이스 유형 | Parallel |
| 마운팅 스타일 | SMD/SMT |
| 패키지 / 케이스 | TQFP-100 |
| 제품 카테고리 | SRAM |
| 수분 민감성 | Yes |
| 공급 전류 - 최대 | 225 mA, 230 mA |
| 공급 전압 - 최대 | 2.7 V |
| 공급 전압 - 최소 | 1.7 V |
| 팩 수량 | 18 |
| 최대 클럭 주파수 | 200 MHz |
| 최대 작동 온도 | + 85 C |
| 최소 작동 온도 | - 40 C |
재고 59 pcs
| 굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $25.77 | $25.25 | $24.75 |
최소: 1
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