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EPC2110ENGRT

제조 업체:	EPC
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
데이터 시트:	EPC2110ENGRT
설명:	GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	EPC
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
시리즈	eGaN®
FET 유형	2 N-Channel (Dual) Common Source
포장	Digi-Reel®
FET 기능	GaNFET (Gallium Nitride)
부품 상태	Active
전원 - 최대	-
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	Die
Vgs(th) (최대) @ Id	2.5V @ 700µA
작동 온도	-40°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	60mOhm @ 4A, 5V
공급업체 장치 패키지	Die
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	0.8nC @ 5V
소스 전압(Vds)으로 의회비	120V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	80pF @ 60V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	3.4A