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EPC2107ENGRT

제조 업체:	EPC
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
데이터 시트:	EPC2107ENGRT
설명:	GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	EPC
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
시리즈	eGaN®
FET 유형	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
포장	Digi-Reel®
FET 기능	GaNFET (Gallium Nitride)
부품 상태	Discontinued at Digi-Key
전원 - 최대	-
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	9-VFBGA
Vgs(th) (최대) @ Id	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
작동 온도	-40°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
공급업체 장치 패키지	9-BGA (1.35x1.35)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
소스 전압(Vds)으로 의회비	100V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	16pF @ 50V, 7pF @ 50V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	1.7A, 500mA