EPC2107
제조 업체: | EPC |
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제품 카테고리: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
데이터 시트: | EPC2107 |
설명: | GANFET 3 N-CH 100V 9BGA |
RoHS 상태: | RoHS 준수 |
특성 | 특성 값 |
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제조업체 | EPC |
제품 카테고리 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
시리즈 | eGaN® |
FET 유형 | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
포장 | Digi-Reel® |
FET 기능 | GaNFET (Gallium Nitride) |
부품 상태 | Discontinued at Digi-Key |
전원 - 최대 | - |
마운팅 타입 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | 9-VFBGA |
Vgs(th) (최대) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V |
공급업체 장치 패키지 | 9-BGA (1.35x1.35) |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
소스 전압(Vds)으로 의회비 | 100V |
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C | 1.7A, 500mA |
재고 80 pcs
굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
최소: 1