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EPC2037
| 제조 업체: | EPC |
|---|---|
| 제품 카테고리: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 데이터 시트: | EPC2037 |
| 설명: | GAN TRANS 100V 550MOHM BUMPED DI |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| 제조업체 | EPC |
| 제품 카테고리 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 시리즈 | eGaN® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 포장 | Digi-Reel® |
| Vgs (최대) | +6V, -4V |
| 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET 기능 | - |
| 부품 상태 | Active |
| 마운팅 타입 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | Die |
| Vgs(th) (최대) @ Id | 2.5V @ 80µA |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| RDS 온 (최대) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 100mA, 5V |
| 전원 소멸 (최대) | - |
| 공급업체 장치 패키지 | Die |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.12nC @ 5V |
| 소스 전압(Vds)으로 의회비 | 100V |
| 입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds | 14pF @ 50V |
| 전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C | 1.7A (Ta) |
| 구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기) | 5V |
