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EPC2016C

제조 업체:	EPC
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트:	EPC2016C
설명:	GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	EPC
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈	eGaN®
FET 유형	N-Channel
포장	Tape & Reel (TR)
Vgs (최대)	+6V, -4V
기술	GaNFET (Gallium Nitride)
FET 기능	-
부품 상태	Active
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	Die
Vgs(th) (최대) @ Id	2.5V @ 3mA
작동 온도	-40°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	16mOhm @ 11A, 5V
전원 소멸 (최대)	-
공급업체 장치 패키지	Die
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	4.5nC @ 5V
소스 전압(Vds)으로 의회비	100V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	420pF @ 50V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	18A (Ta)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기)	5V