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HBDM60V600W-7

제조 업체:	Diodes Incorporated
제품 카테고리:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
데이터 시트:	HBDM60V600W-7
설명:	TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Diodes Incorporated
제품 카테고리	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
시리즈	-
포장	Digi-Reel®
부품 상태	Active
전원 - 최대	200mW
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
트랜지스터 타입	NPN, PNP
기본 부품 번호	HBDM60V600
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
주파수 - 전이	100MHz
공급업체 장치 패키지	SOT-363
Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic	400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대)	500mA, 600mA
현재 - 컬렉터 컷오프(최대)	100nA
DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce	100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대)	65V, 60V