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DMN2014LHAB-7

제조 업체:	Diodes Incorporated
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
데이터 시트:	DMN2014LHAB-7
설명:	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Diodes Incorporated
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
시리즈	-
FET 유형	2 N-Channel (Dual)
포장	Tape & Reel (TR)
FET 기능	Logic Level Gate
부품 상태	Active
전원 - 최대	800mW
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	6-UFDFN Exposed Pad
Vgs(th) (최대) @ Id	1.1V @ 250µA
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	13mOhm @ 4A, 4.5V
공급업체 장치 패키지	U-DFN2030-6 (Type B)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	16nC @ 4.5V
소스 전압(Vds)으로 의회비	20V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	1550pF @ 10V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	9A