Image is for reference only , details as Specifications

DMN1019UFDE-7

제조 업체:	Diodes Incorporated
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트:	DMN1019UFDE-7
설명:	MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Diodes Incorporated
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈	-
FET 유형	N-Channel
포장	Digi-Reel®
Vgs (최대)	±8V
기술	MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능	-
부품 상태	Active
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (최대) @ Id	800mV @ 250µA
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	10mOhm @ 9.7A, 4.5V
전원 소멸 (최대)	690mW (Ta)
공급업체 장치 패키지	U-DFN2020-6 (Type E)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	50.6nC @ 8V
소스 전압(Vds)으로 의회비	12V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	2425pF @ 10V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	11A (Ta)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기)	1.2V, 4.5V