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CDBGBSC101200-G
| 제조 업체: | Comchip Technology |
|---|---|
| 제품 카테고리: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| 데이터 시트: | CDBGBSC101200-G |
| 설명: | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| 제조업체 | Comchip Technology |
| 제품 카테고리 | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| 속도 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 시리즈 | - |
| 포장 | Tube |
| 다이오드 타입 | Silicon Carbide Schottky |
| 부품 상태 | Active |
| 마운팅 타입 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
| 다이오드 구성 | 1 Pair Common Cathode |
| 공급업체 장치 패키지 | TO-247 |
| 역복구 시간(trr) | 0ns |
| 현재 - 역 누설 @ Vr | 100µA @ 1200V |
| 전압 - DC 역방향(Vr) (최대) | 1200V |
| 작동 온도 - 정션 | -55°C ~ 175°C |
| 전압 - 앞으로 (Vf) (최대) @ 경우 | 1.7V @ 5A |
| 현재 - 평균 정류(Io) (다이오드당) | 18A (DC) |
재고 53 pcs
| 굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $9.25 | $9.07 | $8.88 |
최소: 1
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