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MJ11012G

제조 업체: ON Semiconductor
제품 카테고리: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
데이터 시트: MJ11012G
설명: TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 ON Semiconductor
제품 카테고리 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
시리즈 -
포장 Tray
부품 상태 Active
전원 - 최대 200W
마운팅 타입 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-204AA, TO-3
트랜지스터 타입 NPN - Darlington
작동 온도 -55°C ~ 200°C (TJ)
주파수 - 전이 4MHz
공급업체 장치 패키지 TO-204 (TO-3)
Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic 4V @ 300mA, 30A
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) 30A
현재 - 컬렉터 컷오프(최대) 1mA
DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 1000 @ 20A, 5V
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대) 60V

재고 68 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$7.28 $7.13 $6.99
최소: 1

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