FQB6N80TM
제조 업체: | ON Semiconductor |
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제품 카테고리: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
데이터 시트: | FQB6N80TM |
설명: | MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK |
RoHS 상태: | RoHS 준수 |
특성 | 특성 값 |
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제조업체 | ON Semiconductor |
제품 카테고리 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
시리즈 | QFET® |
FET 유형 | N-Channel |
포장 | Digi-Reel® |
Vgs (최대) | ±30V |
기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
FET 기능 | - |
부품 상태 | Active |
마운팅 타입 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs(th) (최대) @ Id | 5V @ 250µA |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs | 1.95Ohm @ 2.9A, 10V |
전원 소멸 (최대) | 3.13W (Ta), 158W (Tc) |
공급업체 장치 패키지 | D²PAK (TO-263AB) |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 31nC @ 10V |
소스 전압(Vds)으로 의회비 | 800V |
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds | 1500pF @ 25V |
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C | 5.8A (Tc) |
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기) | 10V |
재고 942 pcs
굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
최소: 1